EANS-News: PVA TePla AG
Hohe Zelleffizienz und niedrige Betriebskosten -
Voraussetzungen für langfristigen Erfolg in der Photovoltaikindustrie
-------------------------------------------------------------------------------- Corporate News übermittelt durch euro adhoc. Für den Inhalt ist der Emittent/Meldungsgeber verantwortlich. -------------------------------------------------------------------------------- Forschung/Entwicklung Wettenberg (euro adhoc) - (Wettenberg, 13. März 2012) - Vor dem Hintergrund der aktuell schwierigen Lage der Photovoltaikindustrie, die durch Überkapazitäten und damit verbunden starkem Preis- und Margendruck gekennzeichnet ist, wird der Erhöhung der Zelleffizienzen ein besonders hohes Potential zur Optimierung der "Cost of Ownership" (CoO) zuerkannt. In diesem Kontext hat die PVA TePla AG, Wet-tenberg - Deutschland, ein führender Hersteller von Anlagen zur Herstellung von monokristallinen Siliziumkristallen nach der Czochralski-und Floatzone Methode, seine Anlagentechnologie zur Züch-tung von Kristallen in Zusammenarbeit mit Kunden, Kooperations-partnern und Forschungszentren aus der Photovoltaikindustrie konsequent weiterentwickelt. Neben erheblichen Verbesserungen der etablierten Czochralski-Technologie in Hinblick auf verkürzte Prozesszeiten und geringere Prozesskosten, erreich-bar durch Erhöhung der Kristallisationsgeschwindigkeit bzw. einer effizienteren Nutzung von Ausgangs und Verbrauchsmaterialien, fokussieren neuere Entwicklungen auf das Floatzone-Verfahren zur Herstellung von hochreinem, monokristallinem Silizium für Solaranwendungen. Die Floatzone-Technologie wurde ursprünglich für die Halbleiterherstellung entwickelt und hat in den letzten Jahren zunehmend an Bedeutung gewonnen. Mit der Floatzone-Technologie werden die besonders hohen Reinheitsanforderungen an monokristallines Silizium erreicht, die beispielsweise benötigt werden, um elektronische Bauelemente für Hochleistungsanwendungen zu produzieren. Mit einer für die Photovoltaikindustrie optimierten Kristallzuchtanlage, die monokristalline Siliziumkristalle nach dem Floatzoneverfahren ziehen kann, stehen nun industriell verfügbare Standardanlagen für die Produktion bereit, mit denen zukünftigen Anforderungen photovoltaischer Stromerzeugung ent-sprochen werden kann. Nur mit sehr gutem Wafermaterial lassen sich im Zuge des immer komplexer werdenden Fertigungsprozesses in der Solarindustrie die höchsten Effizienzen realisieren. Hierfür sind eine über den gesamten Siliziumkristall hinweg gleichbleibend hohe Qualität sowie gleichzeitig eine hohe Reinheit des Kristalls erforderlich. Mit dem Floatzoneverfahren kann eine Anlagentechnologie für die Kristallzüchtung in der Photovoltaikindustrie angeboten werden, die hervorragende Zelleffizienzen und niedrige Betriebs-kosten bietet. Das Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP in Halle sowie das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) und Industriepartner arbeiten im Rahmen des vom BMBF (Bundesministerium für Bildung und Forschung) geförderten Exzellenzclusters weiter intensiv mit Kristallzuchtanlagen der PVA TePla und bestätigen u.a. die sehr gute Effizienz der Floatzone - basierten Zellen. Rückfragehinweis: Dr. Gert Fisahn Telefon: +49(0)641 68690-400 E-Mail: gert.fisahn@pvatepla.com Ende der Mitteilung euro adhoc -------------------------------------------------------------------------------- Unternehmen: PVA TePla AG Im Westpark 10-12 D-35435 Wettenberg Telefon: +49(0)641 68690-0 FAX: +49(0)641 68690-800 Email: ir@pvatepla.com WWW: http://www.pvatepla.com Branche: Misc. Industrials ISIN: DE0007461006 Indizes: CDAX Börsen: Freiverkehr: Hannover, Berlin, München, Hamburg, Düsseldorf, Stuttgart, Regulierter Markt/Prime Standard: Frankfurt Sprache: Deutsch
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