Neues „TRCDRIVE pack (TM)" von ROHM mit 2-in-1-SiC-Modul: Verringert die Größe des xEV-Wechselrichters beträchtlich
Kyoto, Japan (ots/PRNewswire)
- Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse
ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Teil der TRCDRIVE pack (TM) Serie mit 2-in-1-SiC-Modulen entwickelt (zwei mit 750 V: BSTxxxD08P4A1x4, zwei mit 1.200 V: BSTxxxD12P4A1x1), optimiert für Traktionswechselrichter für xEV (Elektrofahrzeuge). TRCDRIVE pack (TM) unterstützt bis zu 300 kW und zeichnet sich durch eine hohe Leistungsdichte und eine einzigartige Klemmenkonfiguration aus, die dazu beiträgt, die wichtigsten Herausforderungen von Traktionswechselrichtern in Bezug auf Miniaturisierung, höhere Effizienz und weniger Arbeitsstunden zu lösen.
Da die Elektrifizierung von Autos auf dem Weg zu einer kohlenstoffarmen Gesellschaft rasch voranschreitet, wird die Entwicklung von elektrischen Antriebsstrangsystemen, die effizienter, kompakter und leichter sind, derzeit vorangetrieben. Bei SiC-Leistungsbauelementen, die als Schlüsselkomponenten an Bedeutung gewinnen, ist es jedoch eine schwierige Herausforderung, geringe Verluste bei geringer Größe zu erreichen. ROHM löst diese Probleme im Antriebsstrang mit seinem TRCDRIVE pack (TM).
Das TRCDRIVE pack (TM) ist ein Markenzeichen für SiC-Module von ROHM, die speziell für Traktionswechselrichter entwickelt wurden. Sie reduzieren die Größe durch die Verwendung einer einzigartigen Struktur, die die Wärmeabgabefläche maximiert. Darüber hinaus sind die SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM mit niedrigem Durchlasswiderstand eingebaut, was zu einer branchenführenden Leistungsdichte führt, die 1,5 Mal höher ist als die von allgemeinen SiC-Modulen und gleichzeitig erheblich zur Miniaturisierung von Wechselrichtern für xEVs beiträgt.
Die Module sind außerdem mit Steuersignalklemmen mit Einpressstiften ausgestattet, sodass der Anschluss durch einfaches Aufschieben der Gate-Treiber-Platine von oben erfolgen kann, was die Installationszeit erheblich reduziert. Darüber hinaus wird eine niedrige Induktivität (5,7 nH) durch die Maximierung des Strompfads und die Verwendung einer zweischichtigen Busbar-Struktur für die Hauptverdrahtung erreicht, was zu geringeren Verlusten beim Schalten beiträgt.
TRCDRIVE pack (TM) Bild: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202406041753/_prw_PI1fl_w5DAh6xu.jpg
Neben der Entwicklung von Modulen hat ROHM ein Massenproduktionssystem eingerichtet, das mit dem von Einzelprodukten vergleichbar ist und eine 30-fache Steigerung der Produktionskapazität im Vergleich zu herkömmlichen SiC-Gehäusemodulen ermöglicht.
Veröffentlichung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2024-06-11_news_trcdrive-pack&defaultGroupId=false
Produktbild: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202406041753/_prw_PI2fl_MuIp6XyE.jpg
*ROHM-Studie vom 11. Juni 2024
TRCDRIVE pack (TM) ist das Markenzeichen oder eingetragene Markenzeichen von ROHM Co, Ltd.
Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202406041753-O1-8a0140NZ.pdf
Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202406041753/_prw_PI3fl_54i0YolV.jpg
Offizielle Website: https://www.rohm.com/
View original content: https://www.prnewswire.com/de/pressemitteilungen/neues-trcdrive-pack-tm-von-rohm-mit-2-in-1-sic-modul-verringert-die-groWe-des-xev-wechselrichters-betrachtlich-302172662.html
Pressekontakt:
Manabu Otani,
Hauptverwaltung,
Abteilung für Marketingkommunikation,
ROHM Co.,
Ltd.,
+81-75-311-2121,
press@rohm.co.jp. Aufgrund der Zeitverschiebung kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail. Adresse: 21 Saiin Mizosaki-cho,
Ukyo-ku,
Kyoto 615-8585,
Japan
Original-Content von: ROHM Co., Ltd., übermittelt durch news aktuell