München (ots)

Der erst 26-jährige Doktorand Daniel Kehrer hat
mit einem experimentellen Halbleiterschaltkreis einen neuen
Geschwindigkeits-Weltrekord bei der Datenübertragung in CMOS
aufgestellt. Dies gelang ihm bei Corporate Research (Forschung &
Entwicklung) von Infineon Technologies in München. Mit 40 Gbit/s (40
Milliarden Bit pro Sekunde) verdoppelte er nahezu die im Februar
ebenfalls von Infineon erreichte Bestmarke von 25 Gbit/s. Durch den
geschwindigkeitsoptimierten Chip lassen sich schon in Kürze
kostengünstiger noch leistungsfähigere Chips für
Kommunikationsnetzwerke mit PCs, Handys, sowie Automobil- und
Industrieanwendungen herstellen.

Das Forschungsergebnis ist ein Resultat der gezielten
Nachwuchsförderung und der hervorragenden Mikrochip-Technologie von
Infineon. Das achtköpfige Team der Abteilung für
Hochfrequenz-Forschung beschäftigt derzeit neben Daniel Kehrer fünf
weitere Doktoranden. Das große persönliche Engagement jedes Einzelnen
und das Zusammenspiel zwischen jungen Talenten und einem erfahrenen
Team sind die Basis für zahlreiche weltweit anerkannte
Spitzenergebnisse.

Das Team arbeitet eng mit den Technischen Universitäten Wien und
Cottbus sowie der Universität Bochum zusammen. Das Unternehmen will
begabten Studenten die Nutzung der neuesten Technologien für
Schaltungen ermöglichen, da Universitäten häufig nicht das
erforderliche teuere Equipment zur Verfügung steht. Die Kooperation
mit Universitäten wird bei Infineon als sehr wichtig erachtet.

Einfacher mobil ins Internet
   Heute ist die mobile Nutzung des Internets häufig noch zu langsam
und zu umständlich. Die leichte Handhabung mobiler Geräte zur Nutzung
des Internet erfordert komplexe Hochgeschwindigkeits-ICs (integrated
circuits). Darüberhinaus sind für eine dauerhafte Nutzung bei
drahtlosen Kommunikations- und Informationsanwendungen mit PCs und
Handys stromsparende Chips unabdingbar.

Auch in der drahtgebundenen Kommunikation zeichnen sich große
Aufgabengebiete für die neue Chiptechnik ab. Hier wird derzeit der
Markt für Systeme mit 10 Gbit/s erschlossen, aber die mit den
40-Gbit-Chips erreichbare Reserve in der Geschwindigkeit führt zur
deutlichen Reduktion des Leistungsverbrauchs in Geräten der nächsten
Generation.

Technischer Hintergrund

Der 40 Gbit-Rekord wurde auf Basis von CMOS (Complementary
Metal-Oxide Semiconductor), dem Standardverfahren für die
Chipherstellung, erreicht. Bisher waren diese hohen Datenraten nur
mit SiGe (Silizium-Germanium) oder mit aufwendigen und damit teureren
Prozesstechniken wie GaAs (Gallium-Arsenid) oder InP
(Indium-Phosphit) erreichbar. Ziel der Hochfrequenzforschung ist, die
Übertragungsgeschwindigkeit von Halbleiterschaltungen in der
wesentlich einfacher und preiswerter herzustellenden CMOS-Technologie
so weit zu steigern, dass sie die bisher verwendeten, teureren
Bauelemente ersetzen können. Für den Rekord wurden die
Schaltungstechnik optimiert und die Bauelemente in der Schaltung so
eng wie möglich angeordnet. Dazu wurden die spezifischen
Eigenschaften der einzelnen Bauteile genauestens erforscht und für
die Schaltung bestmöglich genutzt. So wird Geschwindigkeit gewonnen
und Leistungsaufnahme verringert. Damit stellen die gezeigten
Forschungsergebnisse einen bahnbrechenden Erfolg bei der
Weiterentwicklung von Komponenten dar, welche heute diskret mit SiGe
HF-Bauteilen und CMOS Logik-Chips realisiert und von Infineon
momentan vertrieben werden.

Diese Presseinformation sowie ein Pressefoto stehen 
   unter www.infineon.com/news zur Verfügung.

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